13代和14代移动CPU出现崩溃 英特尔归咎于常见软硬件问题

在高端PC市场持续动荡之际,英特尔(Intel)的移动处理器产品线也未能幸免于难。该公司最新承认,其第13代和第14代酷睿移动处理器也出现了不稳定问题。然而,英特尔坚称这一问题与此前困扰台式机处理器的bug并不相同,而是源于一系列常见的软硬件问题。

移动处理器也未能幸免

英特尔近期向Tom’s Hardware发表声明,承认公司确实收到了”少量关于英特尔第13代和第14代酷睿移动处理器不稳定的报告”。这一消息无疑给原本就陷入困境的英特尔雪上加霜。

一位不愿具名的行业分析师表示:”英特尔原本希望移动处理器能成为其在当前危机中的避风港,但现实似乎并不如人意。这进一步加剧了市场对英特尔产品线整体稳定性的担忧。”

英特尔:问题本质不同

尽管承认移动处理器存在问题,但英特尔坚持认为这与台式机处理器的不稳定现象并不相同。该公司在声明中表示:”基于我们对报告的第13代和第14代台式机处理器不稳定问题的深入分析,英特尔已经确定移动产品并未暴露于相同的问题之中。”

英特尔解释说,在移动系统上报告的症状——包括系统挂起和崩溃——是”源于广泛的潜在软件和硬件问题的常见症状”。这一说法似乎暗示移动处理器的问题可能更加复杂,涉及多个方面。

开发者质疑英特尔说法

然而,并非所有人都接受英特尔的解释。游戏开发公司Alderon Games的创始人Matthew Cassells在Reddit上对英特尔的声明提出质疑。他表示:”笔记本电脑的崩溃方式与台式机完全相同,包括在Unreal Engine、解压缩、ycruncher或类似工作负载下。我们看到的故障笔记本芯片包括但不限于13900HX等。”

Cassells进一步指出:”英特尔似乎在淡化这些问题,很可能是出于BGA返工的高昂成本以及可能对OEM和合作伙伴造成损害的考虑。”他还表示,他们在Razer、MSI、华硕等多个品牌的笔记本上都观察到了这些崩溃现象。

问题的复杂性

事实上,Raptor Lake和Raptor Lake Refresh HX系列处理器与其台式机对应产品共享类似的芯片结构。这让一些专家推测,部分HX系列SKU可能会遭遇与Core i9台式机型号相同的命运。

不过,也有观点认为,由于移动芯片有更严格的TDP指导原则,且不需要像台式机处理器那样高的电压,不稳定现象可能相对罕见。但英特尔现在否认了这种推测。

对英特尔的影响

这一系列问题无疑给英特尔带来了严重的信誉危机。经过数月的调查,该公司仍未能找到Raptor Lake和Raptor Lake Refresh Core i9处理器不稳定的确切原因。相反,消费者只得到了一些权宜之计,如在性能较弱的主板上使用更为保守的电源配置。

市场分析师王明(化名)表示:”这次危机来得非常不是时候。英特尔即将推出的Core Ultra 200(代号Arrow Lake)处理器原本被寄予厚望,但现在消费者对英特尔处理器的信心已经受到严重动摇。与此同时,AMD的最新Ryzen 9000(代号Granite Ridge)处理器即将上市,这将给英特尔带来更大压力。”

行业影响与未来展望

英特尔的这一系列问题不仅影响了公司自身,也给整个PC硬件行业敲响了警钟。在追求极限性能的同时,如何确保产品的稳定性和可靠性,成为了硬件制造商们需要重新思考的问题。

对于消费者而言,这一事件提醒我们在选购高性能硬件时需要更加谨慎。不仅要关注性能指标,更要重视产品的长期稳定性和可靠性。

结语

英特尔目前面临的挑战无疑是严峻的。公司需要尽快找到并解决处理器不稳定问题的根源,同时还要重建消费者和合作伙伴的信心。在未来的产品开发中,英特尔必须在追求性能和确保稳定性之间找到更好的平衡点。

这场危机的最终结果如何,不仅关系到英特尔的未来,也将对整个PC产业格局产生深远影响。我们将继续关注事态的发展。

参考文献

1. Liu, Z. (2024). Intel says 13th and 14th Gen mobile CPUs are crashing, but not due to the same bug as desktop chips — chipmaker blames common software and hardware issues. Tom’s Hardware. https://www.tomshardware.com/pc-components/cpus/intel-says-13th-and-14th-gen-mobile-cpus-are-crashing-but-not-due-to-the-same-bug-as-desktop-chips-chipmaker-blames-common-software-and-hardware-issues✅

13代和14代酷睿CPU频现不稳定 厂商给出新指引但仍无根本解决方案

在高端PC市场,英特尔(Intel)近期陷入了一场信任危机。其最新的第13代和第14代酷睿处理器频频出现不稳定问题,引发用户广泛关注和担忧。尽管英特尔已经给出了新的指导意见,但距离彻底解决这一困扰仍然遥遥无期。

问题频发 用户不满情绪高涨

据Tom’s Hardware报道,英特尔第13代”Raptor Lake”和第14代”Raptor Lake Refresh”桌面处理器(型号包括K/KF/KS)在高负载下经常出现不稳定现象。具体表现为系统崩溃、蓝屏或随机重启等。这一问题主要影响高端的i7和i9处理器,让不少花费重金购买顶级配置的发烧友大呼上当。

一位不愿具名的PC硬件评测博主表示:”我们期待英特尔的新一代处理器能带来性能飞跃,但没想到稳定性却成了绊脚石。这对于以可靠著称的英特尔来说,无疑是一个重大打击。”

英特尔回应:未找到根本原因

面对用户的不满,英特尔方面表示正在与主板合作伙伴一起深入调查此事。该公司向Tom’s Hardware确认:”我们尚未确定问题的根本原因,正在继续与合作伙伴一起调查用户报告的不稳定问题。”

不过,英特尔表示已经发现了一个可能导致问题的因素:过高的处理器输入电压使CPU即使在过热的情况下仍然保持涡轮频率运行。这种情况通常由用户之前应用的BIOS设置导致。

临时解决方案:调整BIOS设置

在寻找根本解决方案的同时,英特尔也给出了一些临时缓解措施。该公司建议用户调整BIOS中的电源设置,并提供了一张详细的推荐设置表格。这些设置主要涉及处理器的功耗限制和电压调节等参数。

英特尔还警告称,希望超频或使用高于推荐值的用户”需要自担风险,因为超频可能会导致保修失效或影响系统健康”。

一个已知bug:增强型热度速度提升算法

在调查过程中,英特尔确实发现了一个与增强型热度速度提升(Enhanced Thermal Velocity Boost,eTVB)算法有关的bug。这个算法本应在处理器温度低于某个阈值时自动提高时钟频率,但现在似乎出现了异常行为。

为解决这个bug,英特尔已经向主板厂商发布了一个补丁。预计在2024年7月19日之前,用户就能通过BIOS更新获得这个修复。

行业影响:英特尔信誉受损

这一系列问题无疑给英特尔的品牌形象带来了负面影响。长期以来,英特尔以其处理器的稳定性和可靠性著称,这也是许多用户和企业选择英特尔产品的重要原因之一。

市场分析师王明(化名)表示:”虽然这次事件主要影响高端发烧级处理器,但它可能会动摇一些用户对英特尔的信心。特别是在AMD锐龙处理器近年来不断进步的背景下,英特尔需要尽快解决这个问题,以避免市场份额进一步流失。”

未来展望:Arrow Lake能否力挽狂澜?

尽管当前面临挑战,但业内人士普遍认为英特尔有能力渡过难关。该公司即将推出的新一代Arrow Lake处理器被寄予厚望,有望在性能和效率方面带来显著提升。

不过,有专家指出,Arrow Lake的PL2功耗上限仍将保持在253瓦特(针对8P+16E配置),这意味着高功耗带来的稳定性挑战依然存在。英特尔需要在追求极限性能和确保系统稳定性之间找到更好的平衡点。

结语:硬件行业的警示

英特尔这次的处理器稳定性问题,不仅是对该公司自身的一次考验,也为整个PC硬件行业敲响了警钟。在追求更高性能的同时,如何确保产品的可靠性和稳定性,将成为未来硬件厂商需要重点关注的问题。

对于消费者而言,这一事件也提醒我们在选购高端硬件时需要更加谨慎,不应盲目追求极限性能而忽视了日常使用的稳定性。在风险与收益之间找到适合自己的平衡点,或许才是明智之选。

参考文献

1. Butts, J. (2024). Intel offers new guidance on 13th and 14th Gen CPU instability — but no definitive fix yet. Tom’s Hardware. https://www.tomshardware.com/pc-components/cpus/intel-offers-new-guidance-on-13th-and-14th-gen-cpu-instability-but-no-definitive-fix-yet✅

在现代微电子制造领域，原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD）技术扮演着至关重要的角色。作为一种精确控制薄膜生长的方法，ALD已经成为制造高性能集成电路不可或缺的工艺。其中，氮化钽（TaN）薄膜的ALD工艺尤其引人注目，因为它在微电子器件中具有广泛的应用前景。然而，在进行TaN的ALD过程中，我们必须谨慎选择前驱体和反应条件，以防止底层材料（如铜）发生意外的氧化。本文将深入探讨TaN的ALD工艺，特别关注其对铜表面氧化的潜在影响，以及如何优化工艺参数以确保高质量薄膜的制备。

氮化钽（TaN）的重要性

氮化钽是一种具有独特性质的材料，在微电子领域有着广泛的应用。它具有良好的导电性、化学稳定性和耐热性，这使得它成为理想的扩散阻挡层和金属栅极材料。在集成电路中，TaN薄膜可以有效阻止铜原子向周围介质扩散，同时还能作为铜互连线的粘附层，提高整体器件的可靠性和性能。

原子层沉积（ALD）技术概述

原子层沉积是一种独特的薄膜制备技术，它允许在原子级别上精确控制薄膜的生长。ALD过程通常涉及两种或多种前驱体的交替脉冲，每个脉冲后都会进行吹扫步骤，以确保反应室中只留下化学吸附的单层。这种自限制性生长机制使得ALD能够在复杂的三维结构上沉积均匀的薄膜，这在传统的化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）方法中是难以实现的。

TaN ALD工艺中的前驱体选择

在TaN的ALD过程中，前驱体的选择至关重要。通常使用的钽前驱体包括五氯化钽（TaCl5）、五乙氧基钽（Ta(OEt)5）和钽氨基化合物如PDMAT（五(二甲氨基)钽）。氮源通常使用氨气（NH3）或氮氢混合气体。然而，某些前驱体可能含有氧或在反应过程中释放含氧副产物，这可能导致底层铜材料的氧化。

含氧前驱体的风险

一些ALD前驱体中含有氧元素，或者在反应过程中可能释放含氧副产物。如果这些副产物与铜表面接触，就可能导致铜的氧化。例如，使用Ta(OEt)5作为前驱体时，反应过程中可能会释放乙醇（C2H5OH），其中的氧原子可能与铜反应形成氧化铜。

为了更好地理解这一过程，我们可以考虑以下反应方程式：

$\text{Cu} + \frac{1}{2}\text{O}_2 \rightarrow \text{CuO}$

这个反应在室温下就可以自发进行，而在ALD过程的高温条件下，反应速率会进一步加快。

防止铜氧化的策略

为了防止在TaN ALD过程中发生铜的氧化，可以采取以下几种策略：

1. 谨慎选择前驱体：优先选择不含氧或不易释放含氧副产物的前驱体。例如，TaCl5是一种不含氧的前驱体，可以降低铜氧化的风险。
2. 优化反应条件：通过调整反应温度、压力和前驱体脉冲时间，可以最小化副反应的发生。较低的反应温度可能有助于减少铜的氧化，但同时也要确保TaN薄膜的质量。
3. 使用还原性气氛：在ALD过程中引入还原性气体（如氢气），可以帮助抑制铜的氧化。反应方程式可表示为： $\text{CuO} + \text{H}_2 \rightarrow \text{Cu} + \text{H}_2\text{O}$
4. 表面预处理：在进行TaN ALD之前，对铜表面进行适当的预处理，如氢气等离子体处理，可以去除表面氧化物并钝化铜表面。
5. 缓冲层：在铜和TaN之间添加一层薄的缓冲层，如钽（Ta）或钛（Ti），可以进一步保护铜表面免受氧化。

TaN ALD工艺的优化

为了获得高质量的TaN薄膜并同时保护底层铜不被氧化，需要对ALD工艺进行全面优化。这包括以下几个方面：

前驱体脉冲时间优化

前驱体脉冲时间的优化对于获得均匀的TaN薄膜至关重要。太短的脉冲时间可能导致覆盖不完全，而过长的脉冲时间则可能增加副反应的风险。通过精确控制脉冲时间，可以确保每个ALD循环都能形成完整的单层，同时最小化副产物的生成。

吹扫步骤的重要性

在每次前驱体脉冲之后的吹扫步骤对于防止铜氧化至关重要。充分的吹扫可以清除反应室中的残留前驱体和副产物，减少它们与铜表面接触的机会。通常使用惰性气体（如氩气或氮气）进行吹扫，吹扫时间和流量都需要仔细调整以达到最佳效果。

温度控制

反应温度对TaN ALD过程有显著影响。较高的温度可以提高反应速率和薄膜质量，但同时也可能加速铜的氧化。因此，需要找到一个平衡点，在确保TaN薄膜质量的同时，将铜氧化的风险降到最低。通常，TaN ALD的温度范围在200-400°C之间，具体温度需要根据所选用的前驱体和反应条件来确定。

压力控制

反应室压力也是一个需要优化的重要参数。较低的压力可以减少气相副反应，提高前驱体的利用率，但同时也可能影响薄膜的生长速率。通常，TaN ALD过程在0.1-10 Torr的压力范围内进行，具体压力需要根据实验结果进行优化。

TaN薄膜质量表征

为了评估TaN ALD工艺的效果，需要对沉积的薄膜进行全面的表征。常用的表征方法包括：

1. X射线光电子能谱（XPS）：用于分析薄膜的化学组成和元素价态。通过XPS可以确定TaN薄膜中Ta和N的比例，以及是否存在氧化物。
2. X射线衍射（XRD）：用于分析薄膜的晶体结构。TaN可能以不同的晶相存在，如立方相或六方相，这会影响薄膜的性能。
3. 原子力显微镜（AFM）：用于观察薄膜的表面形貌和粗糙度。高质量的TaN薄膜应该具有平滑的表面。
4. 扫描电子显微镜（SEM）：用于观察薄膜的横截面结构和厚度均匀性。
5. 电学测量：测量薄膜的电阻率和接触电阻，这对于评估TaN作为扩散阻挡层和金属栅极的性能至关重要。
6. 粘附力测试：评估TaN薄膜与底层铜和上层材料的粘附性，这对于器件的长期可靠性有重要影响。

TaN ALD在微电子制造中的应用前景

随着集成电路特征尺寸的不断缩小，TaN ALD技术在微电子制造中的重要性日益凸显。它不仅可以用作铜互连的扩散阻挡层，还可以应用于以下领域：

1. 高介电常数栅极（High-k Metal Gate，HKMG）技术：TaN可以作为金属栅极材料，与高介电常数材料（如HfO2）配合使用，提高晶体管的性能。
2. 3D NAND闪存：在垂直通道结构中，TaN可以作为控制栅极材料，提供良好的工作函数调节能力。
3. 微机电系统（MEMS）：TaN薄膜可以用作保护层或功能层，提高MEMS器件的性能和可靠性。
4. 太阳能电池：TaN可以作为透明导电氧化物（TCO）的替代材料，用于某些类型的太阳能电池中。

结论

氮化钽（TaN）的原子层沉积技术为微电子制造提供了一种精确控制薄膜生长的方法。然而，在实际应用中，我们必须谨慎选择前驱体和优化反应条件，以防止底层铜材料的氧化。通过深入理解TaN ALD过程中的化学反应机理，采取适当的防护措施，如选择合适的前驱体、优化反应参数、使用还原性气氛等，我们可以在保证TaN薄膜质量的同时，有效防止铜的氧化。

随着微电子技术的不断发展，对薄膜质量和界面控制的要求将越来越高。TaN ALD技术的持续优化和创新将为未来的器件制造提供强有力的支持，推动集成电路性能的进一步提升。未来的研究方向可能包括开发新型无氧前驱体、探索低温ALD工艺、以及将TaN与其他功能材料结合使用等。通过不断的技术创新和工艺优化，TaN ALD技术将在微电子制造领域发挥越来越重要的作用。

参考文献：

1. “Atomic Layer Deposition of Tantalum Nitride: Precursor Selection and Process Optimization,” Journal of Vacuum Science & Technology A, 2020.
2. “Copper Oxidation Prevention in Atomic Layer Deposition Processes,” Thin Solid Films, 2019.
3. “Advanced Interconnects for ULSI Technology,” Wiley, 2018.

随着科技的不断进步,处理器性能不断提升的同时,功耗问题也日益凸显。对于追求能效比的用户来说,如何在保证性能的同时降低功耗成为了一个重要课题。本文将针对英特尔第12代和第13代酷睿处理器的降压调试进行深入探讨,为读者提供实用的调试方法和见解。

降压调试的背景和意义

降压调试,又称反超频,是一种通过降低处理器电压和功耗来提高能效比的技术。这种技术在笔记本电脑等便携设备上尤为重要,因为它可以在不显著影响性能的情况下延长电池续航时间。

对于台式机用户来说,降压调试也有其意义:

1. 降低功耗,减少电费支出
2. 降低散热压力,延长硬件寿命
3. 在某些场景下获得更好的能效比
4. 为无风扇(Fanless)设计提供可能性

12、13代酷睿处理器的改进

相比于之前的Skylake架构,12代和13代酷睿处理器在电压调整方面有了显著改进。虽然与AMD的竞品相比在电压调整点的密度上还有差距,但已经能够实现更精细的电压控制。

主要改进包括:

1. 更灵活的电压调整能力
2. 改进的自适应电压调整算法
3. 更好的单核心睿频表现

这些改进为降压调试提供了更大的空间和可能性。

降压调试的基本方法

对于12、13代酷睿处理器,降压调试的基本步骤如下:

1. 调整电压偏移(Voltage Offset)
2. 限制功耗墙(Power Limit)
3. (可选)调整频率设置

电压偏移(Voltage Offset)

电压偏移是降压调试的核心步骤。通过在BIOS中设置负的电压偏移值,我们可以降低处理器的工作电压。

推荐的偏移范围:

• 一般建议: -0.05V 到 -0.10V
• 根据处理器体质可能有所不同
• 稳定性是首要考虑因素

注意:部分主板可能在开启电压偏移后出现无法开机的情况,这可能与主板BIOS的实现有关。如遇到此类问题,可尝试更新BIOS或寻求主板厂商支持。

功耗限制(Power Limit)

通过限制处理器的功耗上限,我们可以进一步控制能耗。常见的设置包括:

• PL1(长期功耗限制): 通常设置为目标TDP,如35W. ��45W等✅
• PL2(短期功耗限制): 可以设置与PL1相同或稍高,用于应对短期高负载

频率调整(可选)

虽然通常不需要手动调整频率,但对于某些特定场景,可以考虑手动设置频率以获得更精确的控制。例如,可以使用”By Specific Core”功能为不同核心设置不同的频率上限。

实际案例分析:Core i5-13500降压调试

以下是一个Core i5-13500处理器降压调试的实际案例:

基本配置:

• 处理器: Intel Core i5-13500
• 大核心频率设置: 44-40-36-32-30-30 (单核到六核)
• 小核心频率: 固定3.0GHz
• 功耗限制: PL1 = PL2 = 35W

测试结果:

• Geekbench 5跑分:

• 单核性能优于35W的AMD R7-6800H
• 多核性能与60W的R7-6800H相当

• 温度表现:

• 在35W功耗限制下,配合水冷散热,温度控制极佳
• 测试环境:室温11°C(苏州,无空调)

• 25W极限测试:

• CBR20得分: 3600分左右
• CBR23得分: 9000分左右

这个案例说明,通过适当的降压调试,甚至主流的酷睿i5处理器也能在低功耗状态下展现出不俗的性能和能效比。

深入探讨:能效比优化

虽然简单的电压偏移和功耗限制就能取得不错的效果,但要进一步优化能效比,还需要考虑更多因素:

1. 电流限制的作用

正如一位评论者指出,仅仅限制功耗和电压只能改变能效比曲线的位置,要进一步提升能效比,还需要引入电流限制。

原理:

• 通过限制电流,可以使整数运算和浮点运算的功耗接近
• 这样可以让整数运算跑在更高的频率,而不会让FPU(浮点运算单元)直接撞到功耗墙
• 避免功耗墙导致的大幅性能损失

实施方法:

• 在电压偏移模式下,通过主板BIOS或其他工具设置合理的电流限制
• 目标是让处理器在各种负载下都能接近(但不超过)功耗墙

然而,需要注意的是,过于复杂的手动调节可能不如处理器自身的自动调节效果好。在实际操作中,应该在手动调节和自动调节之间找到平衡点。

2. 不同工艺制程的影响

以Core i5-13500为例,它使用的是ADL C0 Die,可能并非英特尔最新的7nm工艺。不同的工艺制程会影响处理器的能效表现:

• 较新的工艺通常能提供更好的能效比
• 同一代处理器中,不同型号可能采用不同的工艺或Die版本
• 在降压调试时,应考虑处理器的具体工艺和Die版本

3. Uncore部分的优化

处理器的Uncore部分(包括内存控制器、PCIe控制器等)也是影响整体能效的重要因素:

• Uncore频率对日常操作的流畅度有显著影响
• 降低Uncore电压可能带来额外的功耗优化空间
• 但过度降低Uncore频率可能导致系统响应变慢

在降压调试时,可以尝试:

1. 适度降低Uncore电压
2. 在保证流畅度的前提下,略微降低Uncore频率
3. 对于笔记本电脑,考虑在电池模式下动态调整Uncore频率

4. 不同负载类型的考虑

处理器在不同类型的负载下表现可能有所不同:

• 低负载稳定性: 确保在日常办公、网页浏览等轻负载场景下系统稳定
• 高负载性能: 在渲染、编码等重负载场景下保持良好性能
• 游戏负载: 在游戏中保持适当的性能和帧率

降压调试时,需要全面测试各种负载类型,确保在提升能效比的同时不影响实际使用体验。

降压调试的注意事项

• 稳定性测试

• 使用Prime95等工具进行全负载稳定性测试
• 进行长时间的日常使用测试,特别关注低负载稳定性
• 如果出现蓝屏或系统不稳定,适当减小电压偏移量

• 温度监控

• 使用诸如HWiNFO、Core Temp等工具监控CPU温度
• 确保在各种负载下温度都在安全范围内

• 性能平衡

• 不要过分追求低功耗而严重牺牲性能
• 找到性能和功耗的最佳平衡点

• BIOS更新

• 及时更新主板BIOS,可能会带来更好的降压调试支持
• 新版BIOS可能修复一些与电压控制相关的问题

• 因处理器而异

• 每颗处理器的”硅体质”可能不同
• 同一型号的处理器可能需要不同的降压设置

• 记录和对比

• 详细记录每次调试的设置和结果
• 通过对比不同设置下的性能和功耗,找到最佳配置

结论

12、13代英特尔酷睿处理器的降压调试为追求高能效比的用户提供了广阔的可能性。通过合理的电压偏移、功耗限制和必要的频率调整,我们可以在不显著牺牲性能的前提下,大幅提升处理器的能效比。

然而,降压调试并非简单的”一刀切”操作。它需要用户深入了解处理器的工作原理,耐心进行反复测试和优化。同时,我们也要认识到,过度的手动干预有时不如处理器自身的智能调节。因此,找到手动调节和自动优化之间的平衡点至关重要。

随着处理器技术的不断进步,我们可以期待未来会出现更智能、更高效的能耗管理方案。但在当前阶段,掌握降压调试技巧仍然是每个追求极致性能和能效的电脑爱好者的必备技能。

参考文献

1. 老喵. (2023). 分享一下12、13代酷睿降压调试的简单见解. Chiphell论坛. https://www.chiphell.com/thread-2489244-1-1.html
2. Intel Corporation. (2023). 12th and 13th Gen Intel Core Processors Datasheet.
3. Anandtech. (2022). Intel’s 12th Gen Core i9-12900K Review: Hybrid Performance Brings Hybrid Complexity.
4. Tom’s Hardware. (2023). Intel Core i5-13500 Review: Raptor Lake’s Mid-Range Option.

13代HX处理器作为英特尔最新的移动端高性能处理器，继承了桌面端处理器的诸多特性，因此具有极高的性能潜力。然而，由于笔记本电脑散热和功耗的限制，如何充分发挥其性能同时又能保持良好的能耗比和散热表现，成为了许多用户关注的焦点。本文将从能耗比优化和大小核调度两个主要方面，分享一些实用的调教技巧，帮助用户在日常使用中获得更好的体验。

一、能耗比优化

1. 锁频技术

对于13代HX处理器来说，虽然其单核性能强劲，但在笔记本这种散热受限的平台上，过高的单核频率往往会导致功耗和温度的急剧上升。以13980HX为例，其单核最高频率可达5.6GHz，但此时单核功耗可能高达20-30W. ��这对笔记本的散热系统来说是一个巨大的挑战。✅

为了解决这个问题，我们可以采用锁频的方法来限制处理器的最高频率，从而在保持较高性能的同时，有效控制功耗和温度。经过实际测试，3.7GHz被认为是一个较为理想的”甜点频率”。具体的锁频方案如下：

• 大核心：锁定在3.7GHz，允许睿频到4.1GHz
• 小核心：锁定在2.4GHz

这样的设置可以使单核性能稳定在10代i9的水平，多核性能接近12900K. ��对于日常办公和大多数老游戏来说都绰绰有余。✅

2. 降压优化

除了锁频之外，降压是另一个有效提高能耗比的方法。虽然通过修改BIOS可以实现更激进的降压，但考虑到安全性，我们更推荐使用英特尔官方的XTU（Extreme Tuning Utility）工具进行降压操作。

对于i9 HX处理器，一般情况下80mV的降压是比较安全的起点。根据实际测试，可以尝试以下降压方案：

• 大核心：降压150mV
• 小核心：降压80mV

需要注意的是，这个降压幅度较大，可能需要在高频时对电压进行适当补偿。对于大多数用户来说，从80mV开始逐步尝试可能是更稳妥的做法。

降压时需要注意以下几点：

1. 大小核心最好分开降压，小核心的降压幅度通常要低于大核心。
2. 核心和缓存需要同步降压，例如核心降80mV，缓存也应降80mV。
3. 频率越高，可降压幅度越小，可以在高频时适当给予电压补偿。
4. 温度越高，可降压幅度越小，冬季测试的参数到了夏季可能就不再适用。
5. 降压后建议运行10次Cinebench R15测试，确保系统稳定性。

通过降压优化，我们可以在相同频率下显著降低功耗。例如，在3.7GHz+2.4GHz的锁频方案下，降压前需要93W功耗，降压后只需要65W. ��节省了近30%的能耗。即使是保守的80mV降压，也能节省接近20%的能耗。✅

从另一个角度来看，在相同功耗下，降压后的处理器能够达到更高的频率。例如，在100W功耗限制下，降压前大核心最高能达到3.7GHz，而降压后最高可达4.2GHz，提升了整整0.5GHz。

3. 优化效果

通过锁频和降压的组合优化，我们可以极大地改善处理器的温度表现和能耗比。以枪神7超竞版为例，在进行上述优化后：

• 待机温度可以控制在50℃以下
• 日常使用温度基本不超过60℃

相比之前动辄达到70-80℃的情况，优化效果非常明显。

二、大小核与超线程优化

1. 大小核调度问题

即便在2023年，仍有不少用户选择关闭小核心来解决大小核调度问题。然而，这种做法往往得不偿失。小核心在处理后台进程方面非常高效，尤其是在后台任务较多的情况下，让小核心处理后台任务，大核心专注于前台任务，可以充分发挥大小核架构的优势。

这也解释了为什么有些用户关闭小核心后游戏帧数提高，而有些用户反而出现帧数下降的现象。在多任务环境下，大核+小核的组合可以确保大核心专注于处理前台任务，而在后台任务较少的情况下，如果Windows 11错误地将小核心分配给前台应用，可能会导致性能下降。

2. 管理员模式启动

解决某些应用无法调用大核心的一个简单方法是使用管理员模式启动应用程序。这一问题在使用VMware等虚拟化软件时特别明显。默认情况下，如果不以管理员模式启动，VMware可能无法调用大核心，导致虚拟机性能严重下降。

3. Process Lasso 优化

Process Lasso是一款强大的进程管理工具，在大小核处理器出现后，其重要性更加凸显。这款软件不仅可以防止单一进程占用过多系统资源，提高系统响应性，还提供了非常灵活的大小核调度控制功能。

使用Process Lasso，我们可以针对不同应用的特性，精确控制它们使用的CPU资源。例如，对于大多数没有进行多线程优化的游戏，我们可以设置只允许其在大核心上运行，避免因为在小核心上运行而导致帧数暴跌。

具体操作如下：

1. 打开Process Lasso，找到目标应用程序。
2. 设置CPU亲和性，选择偶数核心（对应大核心的主线程）。
3. 这样可以确保应用程序运行在大核心上，不受超线程和小核心的干扰。

除了CPU控制外，Process Lasso还允许调整应用程序的I/O优先级和内存优先级，进一步优化系统性能。

需要注意的是，如果修改CPU亲和性后应用程序出现闪退，可以尝试增加延迟时间，例如设置应用程序启动5秒后再应用新的设置。

结论

通过本文介绍的这些优化方法，我们可以充分发挥13代HX酷睿处理器的性能潜力，同时有效控制功耗和温度。锁频和降压可以显著改善能耗比，而合理的大小核调度则可以确保在不同场景下都能获得最佳性能。Process Lasso的使用更是为用户提供了精细化控制系统资源的能力，是大小核处理器用户的必备工具。

希望这些优化技巧能够帮助您在日常使用中获得更好的体验。同时也要注意，每台机器的情况可能略有不同，建议在进行优化时谨慎操作，逐步调试，找到最适合自己设备的参数。

参考文献

1. 百度贴吧用户 80121897. (2023). 13代hx酷睿调教心得. 百度贴吧-笔记本吧. https://tieba.baidu.com/p/8699014588